Search
prof. dr hab. inż. Alicja Konczakowska
Employment
Publications
Filters
total: 44
Catalog Publications
Year 2016
-
APPLICATION OF INFRARED THERMOGRAPHY TO NON-CONTACT TESTING OF AD/DC POWER SUPPLY
PublicationTesting of AC/DC power supplies using the thermography was carried out in order to assess their assembly and operation correctness before launching them on the market. The investigation was carried out for 17 AC/DC power supplies which passed the standard tests (measurements of their basic parameters and characteristics). The investigation consisted of two steps. In the first step the dispersion of temperature on power supply boards...
-
Ewaluacja jakości kształcenia w kadecji 2012-2016, podsumowanie i wnioski
Publicationprzedstawiono działalność Uczelnianej Komisji ds. Jakości Kształcenia w czasie kadencji 2012-2016
Year 2015
-
SYSTEM IDENTYFIKACJI SZUMÓW RTS TRANSOPTORÓW CNY17
PublicationW artykule opisano zaprojektowany i wykonany system do identyfikacji szumów wybuchowych (RTS – Random Telegraph Signal) występujących w transoptorach typu CNY17. Z metod umożliwiających ocenę parametrów szumów wybuchowych wybrano do realizacji metodę Wzorów Obrazów Szumów – WOS (ang. Noise Scattering Patterns – NSP), która w sposób bardzo prosty pozwala na rozpoznawanie szumów o rozkładach wartości chwilowych gaussowskich i niegaussowskich....
-
Zastosowanie Komputerów w Nauce i Technice 2015 XXV cykl seminariów zorganizowany przez PTETiS, Oddział w Gdańsku
PublicationZaproponowano zastosowanie termografii skokowej (badania nieniszczące) do indywidualnej oceny jakości warystorów. Dla 20 warystorów niskonapięciowych przeprowadzono badania, w ramach których wykonano pomiary parametrów elektrycznych i termicznych przed testami narażeniowymi i po 2 kolejnych cyklach narażeń (dwa poziomy). Testy narażeniowe zastosowano w celu pogorszenia jakości badanych warystorów. Porównano zasady klasyfikacji...
Year 2013
-
Application of infrared thermoography to non-contact testing of varistors
PublicationTesting of varistors using thermography was carried out in order to assess their protective properties against possible overvoltage phenomena in the form of high-level voltage surges. An advantage of the thermography technique is non-contact temperature measurement. It was proposed to assess the properties of varistors workingin electronic devices as protective elements, on the basis of estimating temperature increments on varist...
-
Zastosowanie termografii w diagnostyce i badaniach urządzeń elektronicznych
PublicationZaproponowano zastosowanie techniki termowizyjnej do oceny poprawność konstrukcji i działania urządzeń elektronicznych, biorąc pod uwagę krótki czas badań oraz możliwość bezpośredniej oceny uzyskanych wyników. Technikę termowizyjną zastosowano do badania elementów ochronnych zasilacza AC/DC w czasie standardowych badań odporności na udary oraz do badania modułów GSM pracujących pod kontrolą nadrzędnego programu sterującego i płyty...
-
Zastosowanie termowizji w diagnostyce i badaniach sprzętu elektronicznego
PublicationZaproponowano zastosowanie techniki termowizyjnej do oceny poprawność konstrukcji i działania urządzeń elektronicznych, biorąc pod uwagę krótki czas badań oraz możliwość bezpośredniej oceny uzyskanych wyników. Technikę termowizyjną zastosowano do badania elementów ochronnych zasilacza AC/DC w czasie standardowych badań odporności na udary oraz do badania modułów GSM pracujących pod kontrolą nadrzędnego programu sterującego i płyty...
-
Zastosowanie termowizji w diagnostyce i badaniach sprzętu elektronicznego
PublicationZaproponowano zastosowanie techniki termowizyjnej do oceny poprawność konstrukcji i działania urządzeń elektronicznych. Technikę termowizyjną zastosowano do badania elementów ochronnych zasilacza AC/DC w czasie standardowych badań odporności na udary oraz do badania modułów GSM pracujących pod kontrolą nadrzędnego programu sterującego i płyty głównej centrali systemu przeciwpożarowego
Year 2011
-
The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs
Publication
Year 2010
-
Noise in semiconductor devices
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC
PublicationW artykule przedstawiono podsumowanie wyników projektu pt. Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC.
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublicationTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
Year 2009
-
Classification of high-voltage varistors into groups of differentiated quality
PublicationThe research was aimed on defining a factor of quality for high-voltage varistors using Non-Destructive Testing (NDT) techniques, which could be applied during the production testing. The newly proposed parameter Q determined on the basis of the lowest resonant frequency fr measured within the preselected frequency range was taken into account. The parameter Q was defined for ZnO structures after firing, without metallized contacts....
-
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers
PublicationIn the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise...
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublicationArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
The Methods for RTS Noise Identification
PublicationIn the paper authors present two methods, which allows to identify the RTS noise in noise signal of semiconductor devices. The first one was elaborated to identify the RTS noise and also to estimate the number of its levels. The second one can be used to estimate all of the parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal in a frequency domain.
Year 2008
-
A new nethod for RTS noise of semiconductor devices identification
PublicationIn the paper, a new method, called the noise scatterin pattern method (NSP method), for random telegraph signal noise identyfication in the inherent noise of semiconductor devices is described. A block diagram of a noise measurement system based on the NSP method is presented. Examples of patterns of the NSP method are presented.
-
Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality
PublicationZaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...
-
Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych
PublicationScharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprze-wodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produk-cji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu pro-dukcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów...
-
The noise macromodel of an optocoupler including 1/(f^alfa) noise source
PublicationThe course of design of an optocoupler's PSpice macromodel including noise sources is described. The PSpice macromodel is proposed for the low frequency range. The PSpice model of a MOSFET transistor was applied as the noise source type 1/(f^alfa) in an optocoupler PSpice macromodel. In the enhanced macromodel the value of an exponent α can be changed in the range of 0.8 - 1.25.
Year 2007
-
An automatic system for identification of random telegraph signal (RTS) noise in noise signals
PublicationIn the paper the automatic and universal system for identification of Random Telegraph Signal (RTS) noise as a non-Gaussian component of the inherent noise signal of semiconductor devices is presented. The system for data acquisition and processing is described. Histograms of the instantaneous values of the noise signals are calculated as the basis for analysis of the noise signal to determine the number of local maxima of histograms...
-
Analysis of noise properties of the optocoupler device
PublicationIn the paper the localization of a source of Random Telegraph Signal noise (RTS noise) in optocoupler devices type CNY 17 were defined. The equivalent noise circuit in low frequency noise for these type optocouplers was proposed.
-
Piece-wise constant approximation method of identification of RTS noise
PublicationPrzedstawiono nową metodę wydzielania szumów RTS z całkowitych szumów przyrządów półprzewodnikowych. Metoda ta oparta jest na aproksymacji liniowo odcinkowej przebiegu szumowego.Przedstawiono wyniki zastosowania tej metody do wydzielenia dwupoziomowego szumu RTS z szumu przyrządu półprzewodnikowego.
-
Silicon carbide application issues
PublicationThe main goals of Task 3 and Task 4 of the ordered project ''New technologies based on silicon carbide and their application in HF, high power and high temperature electronics'' are presented
-
Szumowy model transoptora z uwzględnieniem źródeł szumów typu 1/f^alfa
PublicationW publikacji zaprezentowano ideowy zastepczy schemat szumowy transoptora. Schemat przedstawiono na podstawie wyników pomiarów szumów. Schemat zawiera wszystkie źródła szumów, które występują w diodzie LED, fototranzystorze oraz kanale optycznym. Zaprezentowano proces konstruowania modelu szumowego transoptora stoworzonego w programie typu SPICE. Makromodel pozwala modelować wartości parametru alfa, który wykorzystuje się opisu...
Year 2006
-
A method of identification of RTS components in noise signals
PublicationW artykule przedstawiono oryginalną metodę wydzielania szumu RTS (Random Telegraph Signal) - dwupoziomowego lub wielopoziomowego - z sygnału szumowego. Podstawą oceny jakości metody jest założenie, że wartości chwilowe szumu RTS mają rozkład niegaussowski natomiast pozostała część sygnału ma rozkład gaussowski.Algorytm identyfikacji wielopoziomowych szumów RTS w sygnałach szumowych małej częstotliwości oparty został na aproksymacji...
-
A new methof for identyfication of RTS noise
PublicationIn the paper a new method, called the Noise Scattering Pattern (NSP) method, for RTS noise identyfication in a noise signal is presented. Examples of patterns of the NSP method are included.
-
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawiono główne cele zadania 3. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur''. Są to: badania typowych układów elektronicznych i energoelektronicznych z zastosowaniem kompercyjnych elementów i przyrządów z SiC w celu opracowania rozwiązań, które będą mogły być stosowane w praktyce i będą korzystniejsze niż zastosowane...
-
Identification of Optocoupler Devices with RTS Noise
PublicationThe results of noise measurements in low frequency range for CNY 17 type optocouplers are presented. The research were carried out on devices with different values of Current Transfer Ratio (CTR). The methods for identification of Random Telegraph Signal (RTS) in noise signal of optocouplers were proposed. It was found that the Noise Scattering Pattern method (NSP method) enables to identify RTS noise as non-Gaussian component...
-
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami - zadanie 4. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
PublicationPrzedstawionmo główne cele zadania 4. projektu zamawianego nt. ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości dużych mocy i wysokich temperatur. Są to: analiza właściwości produkowanych obecnie komercyjnych elementów i przyrządów półprzewodnikowych z SiC oraz przygotowanie stanowisk laboratoryjnych do pomiarów parametrów i chrakterystyk tych przyrządów.Przewidywane jest opracowanie...
-
Szumy z zakresu małych częstotliwości - Metody pomiaru, zastosowanie do oceny jakości przyrządów półprzewodnikowych
PublicationPrzedstawiono ogólną ideę oceny jakości elementów elektronicznych na podstawie szumów z zakresu małych częstotliwości. Szczegółowe rozważania ograniczono do szumów przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono zagadnienia związane ze źródłami szumów z zakresu m.cz., metod pomiaru szumów własnych, systemów do pomiaru szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych. Opisano metody klasyfikacji przyrządów do grup o zróżnicowanej jakości....
Year 2005
-
Ocena jakości elementów z węglika krzemu metodą pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości
PublicationPrzedstawiono zagadnienie powiązania parametrów szumowych elementów elektronicznych z jakością ich wykonania. Przedstawiono stan badań intensywności metod oceny jakości elementów elektronicznych przez pomiar ich parametrów szumowych oraz propozycję ich zastosowania do oceny jakości elementów z węglika krzemu.
-
Przyrząd wirtualny do wykrywania szumów wybuchowych w przyrządach półprzewodnikowych metodą obrazowania szumów
PublicationW artykule scharakteryzowano właściwości szumów wybuchowych (RTS) w dziedzinie czasu i częstotliwości oraz omówiono stosowane metody identyfikacji szumów RTS. Przedstawiono konstrukcję systemu, do szybkiej identyfikacji szumów wybuchowych, zbudowanego w oparciu o metodę Noise Scattering Pattern (NSP). System składa się z głowicy pomiarowej, zawierającej spolaryzowany badany przyrząd półprzewodnikowy, filtru dolnoprzepustowego,...
-
RTS Noise in Optoelectronic Coupled Devices
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów szumów z zakresu małuch częstotliwości transoptorów typu CNY17. Pomiary wykonano w systemie zaprojektowanym i skonstruowanym przez Autorów. Stwierdzono występowanie szumów RTS w kilku egzemplarzach badanej próby transoptorów. Przeprowadzono analizę szumów RTS, zarówno w dziedzinie czasu, jak i w dziedzinie częstotliwości. Oszacowano wartość częstotliwości, przy której występują szumy wybuchowe, na...
-
System do pomiaru szumów m.cz. analogowych przyrządów półprzewodnikowych
PublicationPrzedstawiono zagadnienia związane z konstrukcją systmów do pomiaru szumów m.cz. analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Przytoczono typowe parametry opisujące właściwości sygnałów szumowych, które mogą być stosowane do analizy szumów własnych analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Określono warunki pomiarów szumów własnych z zakresu małych częstotliwości analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Dokonano podziału systemów...
Year 2004
-
Noise of optoelectronic coupled devices.
PublicationOpisano trzy systemy do pomiaru szumów transoptora a mianowicie: system do pomiaru szumów m. cz. diod LED, system do pomiaru szumów m. cz. fototranzystorów oraz system do pomiaru szumów m. cz. transoptorów. Przedstawiono wyniki pomiaru szumów m. cz. próby 13 transoptorów. Określono współczynnik korelacji między intensywnością szumów a wybranymi parametrami stałoprądowymi tych transoptorów.
-
Właściwości szumowe piroelektrycznych detektorów podczerwieni.
PublicationW artykule omówiono specyfikę pomiaru szumów małoczęstotliwościowych piroelektrycznych detektorów podczerwieni. Opisano sysytem umożliwiający pomiary szumów w zakresie częstotliwości od 0.1 Hz do 30 kHz. Przytoczono przykładowe wyniki pomiarów szumów.
Year 2003
-
Noise of optoelectronic coupled devices.
PublicationOpisano dwa systemy do pomiaru szumów transoptorów. System do pomiaru szumów fototranzystora oraz system do pomiaru szumów transoptora. Przedstawiono porównanie wyników pomiarów szumów 27 transoptorów trzech różnych producentów.
-
Ocena niezawodności elementów półprzewodnikowych.
PublicationOmówiono metody oceny niezawodności elementów półprzewodnikowych, w szczególności w oparciu o badania przyspieszone. Badania te powiązano ściśle z procesem technologii wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Szerzej omówiono przyczyny uszkodzeń elementów półprzewodnikowych. Przedstawiono predykcję niezawodności opartą na badaniach przyspieszonych. Wskazano na coraz szersze zainteresowanie badaniami niezawodności na...
-
Ocena powiązań pomiędzy poziomem szumów 1/f diod mocy a ich napięciem przebicia.
PublicationNa podstawie przeprowadzonych badań można przyjąć, że diody mocy typu BYP680 mogą być klasyfikowane do grupy diod o podwyższonej jakości na podstawie wyników pomiaru szumów 1/f.
Year 2002
-
Ocena jakości elementów elektronicznych na podstawie szumów 1/f.
PublicationWe wszystkich elementach występują samoistne źródła szumów, a przebiegi szumowe są zazwyczaj traktowane jako sygnały niepożądane. Szum elementów elektronicznych może być jednak traktowany jako sygnał związany z jakością badanego elementu. Przedstawiono szumy własne elementów elektronicznych jako dwie składowe: szumy naturalne i szumy nadmiarowe. Omówiono powiązania tych składowych z jakością elementów. Przytoczono parametry...
seen 797 times