Search
Abstract
Półprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz zagadnienia związane z realizacją ultraszybkich układów sterowania bramkowego. Przedstawiono przykłady wykonanych przekształtników o mocach do 40 kW, m.in. do napędu z silnikiem wysokoobrotowym oraz małej elektrowni wiatrowej.
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Automatyka Elektryka Zakłócenia
no. 5,
edition 1 (15),
pages 60 - 72,
ISSN: 2082-4149 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2014
- Bibliographic description:
- Adamowicz M.: Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach// Automatyka Elektryka Zakłócenia. -Vol. 5., iss. 1 (15) (2014), s.60-72
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 184 times