Search
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
Abstract
Przedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
Authors (6)
-
Jan A. Chroboczek
-
Charles Leroux
-
Thomas Ernst
-
Kruno Romanjek
-
Gerard Ghibaudo
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Title of issue:
- Proceedings of the 17th International Conference Noise and Fluctuations strony 287 - 290
- Language:
- English
- Publication year:
- 2003
- Bibliographic description:
- Chroboczek J., Leroux C., Ernst T., Szewczyk A., Romanjek K., Ghibaudo G.: Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s// Proceedings of the 17th International Conference Noise and Fluctuations/ ed. J. Sikula Brno: CNRL, 2003, s.287-290
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 42 times