Search
Abstract
Przy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość 706 GHz.wersja angielska - Ballistic and tunneling GaAs static induction transistors (SIT) with 10-nm scale channels were fabricated with area-selective molecular layer epitaxy (MLE). Estimated electron transit time is shorter than 2×10-14 s. MLE was also applied for fabrication of 706 GHz oscillating transit-time diodes with tunnel injection of electrons - TUNNETTs.
Authors (2)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Title of issue:
- Rusnanotech'08 : Nanotechnology International Forum Moscov, Russia 3-5 December, 2008 Vol. 1 strony 13 - 17
- Language:
- English
- Publication year:
- 2008
- Bibliographic description:
- Płotka P., Nishizawa J.: GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications// Rusnanotech'08 : Nanotechnology International Forum Moscov, Russia 3-5 December, 2008 Vol. 1/ Moscov: (Rusano) Russian Corporation of Nanotechnologies, 2008, s.13-17
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 148 times