Abstract
W artykule przedstawiono efektywną metodę modelowania widma szumu napięcia zasilającego generowanego przez statyczne bramki cyfrowe CMOS. Metoda modelowania uwzględnia krótkie impulsy prądowe powstające w czasie przełączania bramek i pozwala oszacować górne limity widma szumu napięcia zasilającego co umożliwia niskoszumową syntezę układów cyfrowych.
Authors (2)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Title of issue:
- MIXDES 2006 : Proceedings of the International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems Gdynia, Poland 22-24 June 2006 strony 0 - 0
- Language:
- English
- Publication year:
- 2006
- Bibliographic description:
- Blakiewicz G., Chrzanowska-Jeske M.: Noise modeling of static CMOS gates for low-noise circuit synthesis// MIXDES 2006 : Proceedings of the International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems Gdynia, Poland 22-24 June 2006/ ed. ed. A. Napieralski Łódź: Tech. Univ. Łódź, 2006, s.0-0
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 97 times
Recommended for you
Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics
- M. Fadlallah,
- A. Szewczyk,
- C. Giannakopoulos
- + 5 authors
2002