Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS

Abstract

Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku ruchomego pomijanego w modelach opartych na przybliżeniu łagodnego kanału. Przedstawiono rezultaty obliczeń numerycznych rozkładów gęstości ładunku ruchomego wzdłuż kanału tranzystora, otrzymane za pomocą ATLAS'a - symulatora pracy przyrządów półprzewodnikowych.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Articles
Type:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Language:
Polish
Publication year:
2005
Bibliographic description:
Kordalski W., Tomaszewski D.: Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS// . -., (2005),
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 84 times

Recommended for you

Meta Tags