Search results for: enhancement mode high electron mobility transistor (e-hemt) - Bridge of Knowledge

Search

Search results for: enhancement mode high electron mobility transistor (e-hemt)

Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (109)

Search results for: enhancement mode high electron mobility transistor (e-hemt)

Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (36)

Search results for: enhancement mode high electron mobility transistor (e-hemt)

Other results Pokaż wszystkie wyniki (914)

Search results for: enhancement mode high electron mobility transistor (e-hemt)

  • Performance Evaluation of a 650V E-HEMT GaN Power Switch

    Publication

    - Year 2015

    GaN power switches have better characteristics compared to the state-of-the-art Si power transistors. These devices offer high operating temperature and current densities, fast switching and low on-resistance. However, currently only a few producers offer technology of high voltage GaN transistors. Immaturity of this technology is the reason why experimental evaluation of GaN parameters must be performed to properly exploit their...

  • Enhancement of the Magnetoresistance in the Mobility‐Engineered Compensated Metal Pt 5 P 2

    Publication

    - Advanced Electronic Materials - Year 2023

    The magnetoresistance (MR) in nonmagnetic materials continues to be a fertile research area in materials science. The search for giant, positive MR has been limited to a rather small window of materials such as high-mobility semimetals in single-crystalline form. Here, the observation of a very large positive MR in metallic Pt5P2 in polycrystalline form is reported. The observations reveal that improvement of the crystallinity...

    Full text available to download

  • Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach

    Publication
    • S. Melkonyan
    • H. Asriyan
    • A. Surmalyan
    • J. Smulko

    - Armenian Journal of Physics - Year 2011

    Praca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...

    Full text to download in external service

  • BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

    Tematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia....

    Full text available to download

  • Asphalt Overlay Enhancement with Fatigue High-Performing Multiaxial Geocomposite

    Publication

    - Year 2024

    The use of gecomposite incorporating multiaxial geogrid and non-woven fabric of high bitumen retention in asphalt overlays results in the increase of life of the designed pavement structure. Such an approach can offer an opportunity to increase the fatigue life (higher traffic capacity) without the need to increase asphalt overlay thickness or to reduce the thickness of asphalt overlay without reduction of pavement life eventually....

    Full text to download in external service