Search
dr hab. inż. Maciej Łuszczek
Employment
- Associate professor at Department of Metrology and Information Systems
Publications
Filters
total: 20
Catalog Publications
Year 2023
-
Biocompatibility and potential functionality of lanthanum-substituted cobalt ferrite spinels
PublicationBulk and nanostructurized lanthanum-cobalt spinels have attracted a lot of interest from researchers, due to their unique physical and chemical properties as well as functionalities, which are interesting for biomedical and electronic industries. In this manuscript we show that introducing small lanthanum (La3+) content can tune magnetic, electronic and cytotoxic properties of the CoFe2− xLaxO4 system (x ≤ 0.1). The mechanisms...
Year 2022
-
Superconductivity and appearance of negative magnetocaloric effect in Ba1–xKxBiO3 perovskites, doped by Y, La and Pr
PublicationRecently, substantial attention is given to the bismuth-based perovskites for variety of electronic applications. The perovskites are used for quantum dots displays (QLED), photovoltaic systems and superconducting (HTS) devices. In this paper comprehensive studies of Ba1–xKxBi1–yREyO3 bismuth perovskites (REBKBO, RE = Y , La or Pr) are reported. Apart from structural anomalous behavior at low temperatures, the electronic properties...
Year 2021
-
MONTE CARLO MODELING OF OPTICAL SENSOR FOR POST-OPERATIVE FREE FLAP MONITORING
PublicationAfter a preliminary study of the currently employed methods in vitality monitoring of the tissue flaps (TRAM, DIEP, SIEA), a usefulness of optical techniques is discussed. It seems that one of the most promising in monitoring tissue flaps blood flow is a near infrared spectrometry (NIRS). However, a special design of a measurement sensor has to be developed. First, basing on the literature study an optical “window” is characterized....
-
Simulation investigation of perovskite-based solar cells
PublicationThree models of thin-layer lead-halide perovskite solar cells with different electron-transport layers (TiO2,SnO2,ZnO) were investigatedby the simulation method. The perovskite layer thickness was optimized for all the systems. The analysis of the standard photovoltaic cell performanceparameters at various operating temperatures was performed. The best performance was achieved for the system with theSnO2conductive layer.
Year 2020
-
The behavioural model of graphene field-effect transistor
PublicationThe behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations...
Year 2018
-
GRAPHENE-BASED SUPERCAPACITORS APPLICATION FOR ENERGY STORAGE
PublicationRecent advances in graphene-based supercapacitor technology for energy storage application were summarized. The comparison of different types of electrode materials in such supercapacitors was performed. The supercapacitors with graphene-based electrodes exhibit outstanding performance: high charge-discharge rate, high power density, high energy density and long cycle-life, what makes them suitable for various applications, e.g....
Year 2017
-
Graphene field-effect transistor application for flow sensing
PublicationMicroflow sensors offer great potential for applications in microfluidics and lab-on-a-chip systems. However, thermal-based sensors, which are commonly used in modern flow sensing technology, are mainly made of materials with positive temperature coefficients (PTC) and suffer from a self-heating effect and slow response time. Therefore, the design of novel devices and careful selection of materials are required to improve the overall...
Year 2016
-
Structural properties of hypothetical CeBa2Cu3O7 compound from LSDA+DMFT calculations
PublicationThe hypothetical stoichiometric CeBa2Cu3O7 (Ce123) compound, which has not been synthesized as a single phase yet, was studied by the density functional theory (DFT). We utilized a method which merges the local spin density approximation (LSDA) with the dynamical mean-field theory (DMFT) to account for the electronic correlations. The LSDA+DMFT calculations were performed in the high-temperature range. The particular emphasis was...
-
Zastosowanie grafenu w czujnikach elektronicznych
PublicationGrafen to dwuwymiarowa struktura złożona z atomów węgla, tworzących cienką warstwę, która swoją budową przypomina plaster miodu. Materiał ten wykazuje wiele wyjątkowych właściwości, takich jak: bardzo duże przewodnictwo elektryczne i cieplne, ogromna wytrzymałość mechaniczna i elastyczność, a także duży stosunek powierzchni do objętości. Grafen jest przezroczysty, ale może efektywnie absorbować ok. 2% światła w szerokim zakresie...
Year 2015
-
Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for lectronic sensing applications
PublicationA top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could...
-
RECENT ADVANCES IN GRAPHENE APPLICATION FOR ELECTRONIC SENSING
PublicationThe great interest in graphene is caused by its potential for constructing various sensors exhibiting excellent parameters. The high carrier mobility and the unique band structure of graphene makes it promising especially in the field-effect transistors (GFET) applications. In this article, recent advances of the selected graphene-based sensor applications were presented and the possible directions for further investigations were...
Year 2012
-
Charge Distribution and Hyperfine Interactions in GdBa2Cu3O7 from First Principles
PublicationW rozdziale przedstawiono wyniki obliczeń "z zasad pierwszych" (''ab initio'') struktury elektronowej, rozkładu ładunku i struktury nadsubtelnej, w szczególności gradientu pola elektrycznego (EFG) i składnika kontaktowego pola nadsubtelnego (HFF), nadprzewodnika wysokotemperaturowego o wzorze GdBa2Cu3O7 (Gd123). Do obliczeń wykorzystano metodę FP-LAPW (full-potential linearized augmented plane wave). Efekty związane z oddziaływaniami...
Year 2011
-
Electronic structure of PrBa2Cu3O7 after high-pressure compressionfrom first principles
PublicationW pracy zbadano wpływ ściskania wysokociśnieniowego (P=9GPa) na elektronową strukturę pasmową, rozkład ładunku i momenty magnetyczne w pełni utlenionego stechiometrycznego układu PrBa2Cu3O7. Zaobserwowano następujące zmiany wywołane ściskaniem: (1) zmniejszoną gęstość stanów (DOS) na poziomie Fermiego Ef, (2) zwiększona różnicę pomiędzy wartościami DOS dla stanów "spin-up" i "spin-down" w najbliższym otoczeniu Ef, (3) zmniejszone...
Year 2010
-
Electronic structure of TbBa2Cu3O7
PublicationW pracy wykonano obliczenia kwantowomechaniczne struktury elektronowej hipotetycznego materiału TbBa2Cu3O7 (Dy123) metodą FP-LAPW (full potential - linearized augmented plane wave) w ramach formalizmu DFT (density functional theory) stosując przybliżenie GGA (generalized gradient approximation). Ze względu na silne oddziaływania korelacyjne elektronów 4f w atomie Tb zastosowano dodatkowo poprawkę kulombowską U w ramach modelu...
Year 2009
-
Electronic structure and charge distribution in DyBa2Cu3O7: The ab initio approach
PublicationW pracy wykonano obliczenia kwantowomechaniczne struktury elektronowej nadprzewodzącego materiału DyBa2Cu3O7 (Dy123) metodą FP-LAPW (full potential - linearized augmented plane wave) w ramach formalizmu DFT (density functional theory) stosując przybliżenie GGA (generalized gradient approximation). Ze względu na silne oddziaływania korelacyjne elektronów 4f w atomie Dy zastosowano dodatkowo poprawkę kulombowską U w ramach modelu...
Year 2005
-
Charge distribution and magnetic interactions in PrBa2Cu3O7 with substitutional defects and oxygen disorder: the ab initio approach
PublicationW artykule zaprezentowano rezultaty kwantowomechanicznych obliczeń ''ab initio: struktury elektronowej układu PrBa2Cu3O7 zawierającego defekty substytucyjne (Pr_Ba) w podsieci barowo-tlenowej oraz wykazującego zaburzoną stechiometrię tlenową (O5). Badane defekty są odpowiedzialne za redystrybucję ładunku w układzie. Defekty Pr_Ba generują silnie zlokalizowane momenty magnetyczne, które oddziałują głównie na płaszczyzny miedziowo-tlenowe.
Year 2004
-
Structural and electronic properties of some intriguing (rare-earth)Ba2Cu3O7 compounds.
PublicationW rozdziale przedstawiono przegląd wyników eksperymentalnych i teoretycznych dotyczących wybranych związków o wzorze (lantanowiec)Ba2Cu3O7 wykazujących całkowicie odmienne właściwości w porównaniu z całą klasą nadprzewodzących związków tlenkowych o stechiometrii 1:2:3. Szczególny nacisk położono na analizę procesu wzrostu kryształów i powstawania defektów punktowych determinujących późniejsze własności fizyczne tych materiałów....
-
The ab initio calculations of single nitrogen-vacancy defect center in diamond.
PublicationW artykule zaprezentowano rezultaty kwantowomechanicznych obliczeń ''ab initio'' struktury elektronowej defektu azot-wakans w diamencie. Do obliczeń wykorzystano model złożony z 63 atomów. Otrzymane wyniki zostały porównane z wcześniejszymi pracami teoretycznymi i doświadczalnymi.
Year 2003
-
Electronic structure of CeBa2Cu3O7.
PublicationPrzeprowadzono obliczenia ab initio struktury elektronowej związku CeBa2Cu3-O7(Ce123) metodą LAPW oraz porównano z analogicznymi strukturami otrzymanymi dla YBa2Cu3O7 (Y123), NdBa2Cu3O7(Nd123) i PrBa2Cu3O7(Pr123). Wszystkie wyliczone struktury pasmowe są zasadniczo podobne. W pracy postawiono hipotezę dotyczącą korelacji pomiędzy silnym rozszczepieniem spinowym w Pr123 i Ce123a niestabilnością strukturalną tych układów.
-
Surface morphology of PrBa2Cu3O7-ë single crystals after the long lasting high temperature reduction. .
PublicationZaprezentowano wyniki szczegółowej analizy powierzchni kryształów poddanych długotrwałej redukcji wysokotemperaturowej. Badania za pomocą skaningowej mikroskopii (SEM) wykazały obecność niestabilnych strukturalnie krystalitów powstałych w wyniku rozpadu powierzchni kryształów. Zanikanie zaindukowanego przy pomocy obróbki wysokotemperaturowej nadprzewodnictwa może być spowodowane migracją defektów podsieci Pr-Ba z wnętrza...
seen 2462 times