W pracy przedstawiono nowe podejście do korekcji rezystorów warstwowych polegające na wytwarzaniu dodatkowego kontaktu w celu rozszerzenia zakresu korekcji i uproszczenia projektowania. Ponadto zaprezentowano nową szybką metodę wyznaczania charakterystyk korekcyjnych a także weryfikację eksperymentalną. Przedstawiono wyniki w postaci zakresów korekcji i względnych przyrostów rezystancji w funkcji kształtu dodatkowego kontaktu oraz...

W artykule zaprezentowano i skomentowano wstępne wyniki elektryczxnych i geometrycznych charakterystyk wielokontaktowychstruktur rezystywnych wykonanych w technologiigrubowarstwowej i LTCC ( ceramicznej z niską temperatura wypadaniz). Realizowane struktury miały rozmiary od 200 x 100 μm2 do 1500 x 500 μm2 i 3 lub 6 kontaktów rozmieszczonych e różny sposób na obwodzie warstwy rezystywnej.

W pracy zaproponowano i przeanalizowano nowe podejście do projektowania i realizacji korekcji laserowej rezystorów warstwowych polegające na zastępowaniu rezystorów 2-kontaktowych strukturami 3-kontaktowymi, które następnie poddawane są korekcji. Ma to wpływ na zwiększenie zakresu korekcji i zmianę czułościowych charakterystyk strojenia.