Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.

Wiesław Kordalski; Tomasz Stefański

Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.

Abstract

Bazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.

Authors (2)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Tomasz Stefański dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Language:: Polish
Publication year:: 2004
Bibliographic description:: Kordalski W., Stefański T.: Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.// . -., (2004), s.0-0
Verified by:: Gdańsk University of Technology