Search
Abstract
Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.
Authors (7)
-
Agata Zdyb
-
Jan Marian Olchowik
-
Dariusz Szymczuk
-
Janina Mucha
-
Krzysztof Zabielski
-
Marian Mucha
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Published in:
-
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY
no. 37,
edition 8,
pages 875 - 880,
ISSN: 0232-1300 - Language:
- English
- Publication year:
- 2002
- Bibliographic description:
- Zdyb A., Olchowik J., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Mucha M., Sadowski W.: Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures// CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. -Vol. 37., iss. 8 (2002), s.875-880
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 118 times
Recommended for you
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
- A. Konczakowska,
- R. Barlik,
- K. Zymmer
2006
Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET
- W. Kordalski,
- B. Boratyński,
- M. Panek
- + 3 authors
2007
Unusual fluorescence anisotropy spectra of three-component donor-mediator-acceptor systems in uniaxially stretched polymer films in the presence of energy transfer
- P. Sas-Bojarski,
- M. Sadownik,
- S. Rangełowa-Jankowska
- + 2 authors
2008