Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures

Abstract

Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.

Authors (7)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Articles
Type:
artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Published in:
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY no. 37, edition 8, pages 875 - 880,
ISSN: 0232-1300
Language:
English
Publication year:
2002
Bibliographic description:
Zdyb A., Olchowik J., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Mucha M., Sadowski W.: Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures// CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. -Vol. 37., iss. 8 (2002), s.875-880
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 76 times

Recommended for you

Meta Tags