Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

Abstract

Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz laboratoryjnych opracowanego na Politechnice Gdańskiej dwustopniowego układu sterowania bramkowego ze sprzężeniem typu DC dla tranzystorów SiC JFET 1,2kV typu normally-off. dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Articles
Type:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Published in:
Przegląd Elektrotechniczny pages 1 - 6,
ISSN: 0033-2097
Language:
Polish
Publication year:
2012
Bibliographic description:
Adamowicz M., Pietryka J., Giziewski S., Rutkowski M., Krzemiński Z.: Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia // Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 4b (2012), s.1-6
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 107 times

Recommended for you

Meta Tags