Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC - Publication - MOST Wiedzy

Search

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

Abstract

W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru rdzenia dławika wyjściowego, zapewniającą minimalizację jego objętości i masy.

Citations

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1

    Scopus

Details

Category:
Articles
Type:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:
Przegląd Elektrotechniczny pages 333 - 338,
ISSN: 0033-2097
Language:
Polish
Publication year:
2017
Bibliographic description:
Czyż P., Reinke A., Michna M.: Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC// Przegląd Elektrotechniczny. -., nr. 1 (2017), s.333-338
DOI:
Digital Object Identifier (open in new tab) 10.15199/48.2017.01.78
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 37 times

Recommended for you

Meta Tags