Search
Abstract
W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru rdzenia dławika wyjściowego, zapewniającą minimalizację jego objętości i masy.
Citations
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
4
Scopus
Authors (3)
Cite as
Full text
download paper
downloaded 235 times
- Publication version
- Accepted or Published Version
- DOI:
- Digital Object Identifier (open in new tab) 10.15199/48.2017.01.78
- License
-
open in new tab
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Przegląd Elektrotechniczny
pages 333 - 338,
ISSN: 0033-2097 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2017
- Bibliographic description:
- Czyż P., Reinke A., Michna M.: Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC// Przegląd Elektrotechniczny. -., nr. 1 (2017), s.333-338
- DOI:
- Digital Object Identifier (open in new tab) 10.15199/48.2017.01.78
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 242 times