Search results for: MODELOWANIE TRANZYSTORÓW MOS

• Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych

  Publication

  • M. Turzyński

  - Year 2012

  W monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...

• Modelowanie układu przetwornicy rezonansowej dc-dc z miękką komutacją tranzystorów.

  Publication

  • K. Kowalewski
  • A. Lewicki

  - Year 2004

  W referacie zaprezentowano model matematyczny przetwornicy DC-DC, który umożliwia przeprowadzenie badań symulacyjnych układu przetwornicy oraz dobór parametrów głównych jej elementów.

• Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems

  Publication

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Year 2006

  W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych....

• Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm

  Publication

  • W. Kordalski
  • J. Wiśniewski
  • K. Włodarczak

  - Year 2005

  W artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.

• A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.

  Publication

  • A. Szewczyk
  • J. A. Chroboczek

  - Year 2004

  Przedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.

• Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego.

  Publication

  • B. Pankiewicz
  • M. Solecki

  - Year 2004

  Rezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie...

• Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation

  Publication

  • W. Kordalski
  • T. Stefański

  - Year 2005

  Zaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.

• Low frequency noise measurements in advanced silocon devices.**2003, 136 s.116 rys. bibliogr. 29 poz. maszyn. Pomiary małoczęstotliwościowych szumów zaawansowanych elementów krzemowych. Rozprawa doktorska /15.04.2003./ Inst. Natl. P. Grenoble Promotorzy: prof. dr hab. inż. L. Spiralski, dr CNRS G. Ghibaudo.

  Publication

  • A. Szewczyk

  - Year 2003

  W pracy przedstawiono automatyczny system do pomiarów małoczęstotliwoscio-wych szumów struktur elementów półprzewodnikowych. System umożliwia automa-tyczne wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych badanego elementu, pomiarszumów i wyznaczanie gęstości widmowej mocy w zadanym zakresie polaryzacji.Przytoczono wyniki przeprowadzonych testów systemu. Ważną składową pracy wy-niki pomiarów szumów tranzystorów MOS i bipolarnych...

• Modelowanie Inżynierskie

  Journals

  ISSN: 1896-771X

• Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopieńwzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS

  Publication

  • S. Szczepański
  • B. Pankiewicz

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Year 2008

  W artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...