Search results for: TRANZYSTORY SIT

• Tranzystory organiczne

  Publication

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Year 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

• Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

  Publication

  • J. A. Cichosz
  • B. Stawarz-Graczyk
  • A. Szewczyk

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2010

  Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...

• Behawioralny model tranzystora IGBT

  Publication

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Przegląd Elektrotechniczny - Year 2010

  W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...

• Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

  Publication

  • M. Franz
  • J. Godlewski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Year 2017

  Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...

  Full text to download in external service

• Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

  Publication

  • M. Adamowicz
  • J. Pietryka
  • S. Giziewski
  • M. Rutkowski
  • Z. Krzemiński

  - Przegląd Elektrotechniczny - Year 2012

  Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...

  Full text to download in external service

• Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • L. Damaszk
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.

• Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • M. Pribbenow
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.

• Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • M. Polowczyk
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana
  • K. Szymański
  • J. Woźniak

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2007

  Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...

• Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.

  Publication

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk

  - Year 2004

  Przedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...

• Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

  Publication

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.