Search
Didn't find any results in this catalog!
But we have some results in other catalogs.Filters
total: 4105
displaying 1000 best results Help
Search results for: mott-schottky
-
Selection of measurement frequency in Mott–Schottky analysis of passive layer on nickel
Publication -
Selection of measurement frequency in Mott-Schottky analysis of passive layer on nickel
PublicationPrzedstawiono zależności Mott'a - Schottky'ego dla różnych częstotliwości pomiarowych. Kształt uzyskanych zależności zależy od doboru tych częstotliwości. Związane jest to z tym, że stężenie defektów w warstwie pasywnej zależy od doboru częstotliwości. Metoda DEIS pozwala na uniknięcie tych niedogodności.
-
On doubts about Mott-Schottky plot of organic planar heterojunction in photovoltaic cell
PublicationNa wykresie Motta-Schottky'ego przedstawione są wyniki pomiarów przeprowadzonych na komórkach fotowoltaicznych z planarnym heterozłączem organicznym. W pracy pokazano, że fotowoltaiczne układy z planarnym heterozłączem organicznym, podobnie jak planarne złącza półprzewodnikowe, mogą prowadzić do liniowych charakterystyk na wykresie Motta-Schottky'ego. Pokazano jednak, że parametry uzyskane z analizy otrzymanych prostych nie mogą...
-
The Mott-Schottky characteristics of microwave pulsed-plasma polymerized allylamine by DEIS analysis
Open Research DataThe dataset contains the results obtained for the Mott-Schottky analysis of the microwave pulsed-plasma polymerized allylamine using the multifrequency perturbation signal with Dynamic Electrochemical Impedance Spectroscopy (DEIS) technique. The results were obtained using the perturbation composed of the elementary signals with a frequency range between...
-
Small-signal admittance for Schottky-Richardson emission into an organic layer
PublicationPraca przedstawia małosygnalową admitancję emisji Schottky'ego-Richardsona do warstwy organicznej. Analiza obejmuje obie składowe zespolonej odpowiedzi.
-
Al-DIAMOND SCHOTTKY TUNNEL DIODES WITH BARRIER HEIGHT CONTROL
PublicationFew-nanometer-thick very highly boron-doped p-type layers were fabricated at metal-semiconductor interfaces of Schottky barrier diodes formed with aluminum on polycrystalline diamond. Preliminary results show that hermionically-assisted tunneling mechanism results in lower voltage drops at forward biasing of these diodes than expected for the Al-diamond metal-semiconductor potential barrier B. The effective barrier height Bpeff...
-
Sport Mont
Journals -
Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublicationOne of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are...
-
Evaluation of SiC JFETs and SiC Schottky diodes for wind generation systems
Publication -
Performance comparison of SiC Schottky diodes and silicon ultra fast recovery diodes
Publication