Andrzej Reinke - Publikacje - MOST Wiedzy

Andrzej Reinke

Zatrudnienie

Brak danych

Słowa kluczowe Pomoc

Publikacje

wyników na stronę:
rok:
- zaznaczony Sortuj po rok od najnowszych
- Sortuj po rok od najstarszych
tytuł:
- zaznaczony Sortuj po tytuł A-Z
- Sortuj po tytuł Z-A
cytowania:
- Sortuj po cytowania malejąco
- Sortuj po cytowania rosnąco

Filtry

wszystkich: 2

Rok 2017

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
Publikacja
- Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2017
W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...

Pełny tekst do pobrania w portalu

Rok 2016

Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
Publikacja
- Rok 2016
The new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....

wyświetlono 691 razy