Detection of high intensity THz radiation by InP double heterojunction bipolar transistors - Publikacja - MOST Wiedzy

Twoje konto

zaloguj

Wyszukiwarka

Detection of high intensity THz radiation by InP double heterojunction bipolar transistors

Abstrakt

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Autorzy (11)

  • Zdjęcie użytkownika Nina Dyakonova

    Nina Dyakonova

  • Zdjęcie użytkownika Dominique Coquillat

    Dominique Coquillat

  • Zdjęcie użytkownika Dmytro But

    Dmytro But

  • Zdjęcie użytkownika Frederic Teppe

    Frederic Teppe

  • Zdjęcie użytkownika Wojciech Knap

    Wojciech Knap

  • Zdjęcie użytkownika Virginie Nodjiadjim

    Virginie Nodjiadjim

  • Zdjęcie użytkownika Muriel Riet

    Muriel Riet

  • Zdjęcie użytkownika Agnieszka Konczykowska

    Agnieszka Konczykowska

  • Zdjęcie użytkownika Philipp Faltermeier

    Philipp Faltermeier

  • Zdjęcie użytkownika Peter Olbrich

    Peter Olbrich

  • Zdjęcie użytkownika Sergey Ganichev

    Sergey Ganichev

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2017
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/irmmw-thz.2017.8067039
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 2 razy

Meta Tagi