Wyszukiwarka
Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s
Abstrakt
Przedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
Autorzy (6)
-
Jan A. Chroboczek
-
Charles Leroux
-
Thomas Ernst
-
Kruno Romanjek
-
Gerard Ghibaudo
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Tytuł wydania:
- Proceedings of the 17th International Conference Noise and Fluctuations strony 287 - 290
- Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2003
- Opis bibliograficzny:
- Chroboczek J., Leroux C., Ernst T., Szewczyk A., Romanjek K., Ghibaudo G.: Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s// Proceedings of the 17th International Conference Noise and Fluctuations/ ed. J. Sikula Brno: CNRL, 2003, s.287-290
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 69 razy