EMI attenuation in a DC-DC buck converter using GaN HEMT

Paweł Derkacz; Piotr Musznicki; Piotr Chrzan

doi:10.1109/jestpe.2020.2987638

EMI attenuation in a DC-DC buck converter using GaN HEMT

Abstrakt

A dc-dc buck converter using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) is experimentally investigated at the discontinuous current mode (DCM) and at the triangular current mode (TCM) operation. The paper objective is to specify the power conversion efficiency and attenuation of common mode (CM) and differential mode (DM) noise voltage, measured at the line impedance stabilization network (LISN) for compared control strategies. Zero voltage switching achieved for the TCM operation improves efficiency with reference to the DCM operation. However, significant attenuation of electromagnetic interference (EMI) spectra is obtained for TCM operation with capacitive snubber. Sizing of capacitor snubber dependent on parasitic inductances of commutation circuit and rapid switching of GaN HEMTs are illustrated.

Cytowania

4

CrossRef
0

Web of Science
4

Scopus

Autorzy (3)

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację

pobrano 175 razy

Wersja publikacji: Accepted albo Published Version
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/JESTPE.2020.2987638
Licencja: Copyright (2020 IEEE)

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach
Opublikowano w:: IEEE JOURNAL OF EMERGING AND SELECTED TOPICS IN POWER ELECTRONICS nr 9, strony 4146 - 4152,
ISSN: 2168-6777
Język:: angielski
Rok wydania:: 2021
Opis bibliograficzny:: Derkacz P. B., Musznicki P., Chrzan P.: EMI attenuation in a DC-DC buck converter using GaN HEMT// IEEE JOURNAL OF EMERGING AND SELECTED TOPICS IN POWER ELECTRONICS -Vol. 9,iss. 4 (2021), s.4146-4152
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/jestpe.2020.2987638
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska