Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:: APPLIED PHYSICS LETTERS nr 115, wydanie 18,
ISSN: 0003-6951
ISSN:: 0003-6951
Rok wydania:: 2019
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1063/1.5119227
Weryfikacja:: Brak weryfikacji

wyświetlono 3 razy

Wyszukiwarka