Role of nitrogen in optical and electrical band gaps of hydrogenated/hydrogen free carbon nitride film - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Role of nitrogen in optical and electrical band gaps of hydrogenated/hydrogen free carbon nitride film

Abstrakt

We report the optical and electrical band gap energy of amorphous hydrogenated carbon nitride (a-HCNx) and carbon nitride (a-CNx) as a function of nitrogen concentration (N/C). The optical band gap of a-HCNx and a-CNx films has been determined by means of Ellipsometry and UV-VIS. Both optical and electrical band gaps increase with elevated nitrogen concentration. Experimentally obtained electrical band gap is compared with the same one calculated from single particle band gap or carbon nanotube model to observe the dependence like behavior. Moreover, resistivity of the a-HCNx film shows a higher value in comparison to that of the a-CNx film as the nitrogen concentration increases from 0.07 to .54 at room temperature.

Cytowania

  • 9

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1 0

    Scopus

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:
THIN SOLID FILMS nr 527, strony 151 - 157,
ISSN: 0040-6090
Język:
angielski
Rok wydania:
2013
Opis bibliograficzny:
Majumdar A., Bogdanowicz R., Mukherjee S., Hippler R.: Role of nitrogen in optical and electrical band gaps of hydrogenated/hydrogen free carbon nitride film// THIN SOLID FILMS. -Vol. 527, nr. 1 (2013), s.151-157
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1016/j.tsf.2012.11.020
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 132 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi