Wyszukiwarka
Abstrakt
Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.
Autorzy (8)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
nr T. 14,
strony 665 - 674,
ISSN: 1732-1166 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2007
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Boratyński B., Panek M., Polowczyk M., Zborowska-Lindert I., Ściana B., Szymański K., Woźniak J.: Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.665-674
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 135 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
- W. Kordalski,
- M. Pribbenow,
- B. Boratyński
- + 4 autorów
2008
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 autorów
2008