Wyszukiwarka
Abstrakt
Interaction between 2, 3, 5 and 7 atomic layers of gold and a (111) silicon surface was investigated with the molecular dynamics simulation method. The simulation of the diffusion interaction between gold and silicon in the temperature range 425-925 K has been carried out. The peculiarities of the concentration changes of the interacting components and the atomic density at the boundary of two phases in the direction perpendicular to the crystalline surface were established. By means the formalism of quasi two dimensional partial pair correlation functions the atomic structure of the diffusion region was analyzed. The formation of the alloy of eutectic composition within the gold-silicon interlayer was established. It was shown that the inter-phase mixing in various temperature intervals occurred according to different diffusion mechanisms
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
0
Scopus
Autorzy (6)
-
Ihor Shtablavyi
-
Stepan Mudry
Cytuj jako
Pełna treść
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
Materials Research Express
nr 7,
strony 1 - 16,
ISSN: 2053-1591 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2020
- Opis bibliograficzny:
- Plechystyy V., Shtablavyi I., Winczewski S., Rybacki K., Mudry S., Rybicki J.: Structure of the interlayer between Au thin film and Si-substrate: Molecular Dynamics simulations// Materials Research Express -Vol. 7,iss. 2 (2020), s.1-16
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1088/2053-1591
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 110 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Surface diffusion and cluster formation of gold on the silicon (111)
- W. Pleczysty,
- I. Shtablavyi,
- K. Rybacki
- + 3 autorów