Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

Abstrakt

W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru rdzenia dławika wyjściowego, zapewniającą minimalizację jego objętości i masy.

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 1

    Scopus

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Przegląd Elektrotechniczny strony 333 - 338,
ISSN: 0033-2097
Język:
polski
Rok wydania:
2017
Opis bibliograficzny:
Czyż P., Reinke A., Michna M.: Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC// Przegląd Elektrotechniczny. -., nr. 1 (2017), s.333-338
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2017.01.78
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 39 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi