Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors

Najlepsze wyniki w katalogu: Potencjał Badawczy Pokaż wszystkie wyniki (95)

Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors

  • Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych

    * Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...

  • Zespół Metrologii i Optoelektroniki

    * komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR

  • Zespół Fizyki Ciała Stałego

    Potencjał Badawczy

    Tematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...

Najlepsze wyniki w katalogu: Oferta Biznesowa Pokaż wszystkie wyniki (31)

Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors

Pozostałe wyniki Pokaż wszystkie wyniki (2516)

Wyniki wyszukiwania dla: gan power transistors

  • Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

    The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors

    Publikacja

    The general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • Feasibility Study GaN Transistors Application in the Novel Split-Coils Inductive Power Transfer System with T-Type Inverter

    Publikacja

    - ENERGIES - Rok 2020

    A promising solution for inductive power transfer and wireless charging is presented on the basis of a single-phase three-level T-type Neutral Point Clamped GaN-based inverter with two coupled transmitting coils. The article focuses on the feasibility study of GaN transistor application in the wireless power transfer system based on the T-type inverter on the primary side. An analysis of power losses in the main components of the...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • Performance Evaluation of a 650V E-HEMT GaN Power Switch

    Publikacja

    - Rok 2015

    GaN power switches have better characteristics compared to the state-of-the-art Si power transistors. These devices offer high operating temperature and current densities, fast switching and low on-resistance. However, currently only a few producers offer technology of high voltage GaN transistors. Immaturity of this technology is the reason why experimental evaluation of GaN parameters must be performed to properly exploit their...

  • EMI mitigation of GaN power inverter leg by local shielding techniques

    Publikacja

    - IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS - Rok 2022

    This paper presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common mode (CM) current noise at converter’s DC input. The research study is conducted for 650V Enhancement mode Gallium Nitride (GaN) power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solutions are proposed to reduce...

    Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym