Photonics Letters of Poland - Czasopismo - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Photonics Letters of Poland

ISSN:

2080-2242

Dyscypliny:

  • Automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • Inżynieria biomedyczna (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • Inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • Nauki farmaceutyczne (Dziedzina nauk medycznych i nauk o zdrowiu)
  • Nauki chemiczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)
  • Nauki fizyczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)

Punkty Ministerialne: Pomoc

Punkty Ministerialne - aktualny rok
Rok Punkty Lista
Rok 2024 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
Punkty Ministerialne - lata ubiegłe
Rok Punkty Lista
2024 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
2023 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych 2023
2022 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2021 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2020 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2019 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2018 10 B
2017 10 B
2016 7 B
2015 7 B
2014 10 B
2013 10 B
2012 7 B
2011 7 B

Model czasopisma:

Open Access

Punkty CiteScore:

Punkty CiteScore - aktualny rok
Rok Punkty
Rok 2022 1.3
Punkty CiteScore - lata ubiegłe
Rok Punkty
2022 1.3
2021 1.2
2020 1.1
2019 1.2
2018 0.8
2017 0.9
2016 0.9
2015 0.9
2014 1
2013 1.8
2012 2.2
2011 1.5

Impact Factor:

Zaloguj się aby zobaczyć Współczynnik Impact Factor dla tego czasopisma

Filtry

wszystkich: 44

  • Kategoria
  • Rok
  • Opcje

wyczyść Filtry wybranego katalogu niedostępne

Katalog Czasopism

Rok 2023
Rok 2022
Rok 2021
Rok 2019
Rok 2018
Rok 2015
Rok 2014
Rok 2013
  • In-situ optical diagnostics of boron-doped diamond films growth

    Interferometry is a desirable method for in-situ measurement of thin, dielectric film growth, as it don't modify conditions of film deposition. Here we present interferometrical measurements of thickness of doped diamond films during Chemical Vapor Deposition (CVD) process. For this purpose we used a semiconductor laser with a 405nm wavelength. Additional ex-situ measurement using spectral interferometry and ellipsometry...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

Rok 2011
Rok 2010
Rok 2009

wyświetlono 1122 razy