Chemical composition of tellurium oxides thin films deposited by magnetron sputtering method - Open Research Data - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Chemical composition of tellurium oxides thin films deposited by magnetron sputtering method

Opis

Thin films were prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering technique. Metallic Te target was sputtered for about 45 min in argon-oxygen atmosphere what resulted in 300 nm film thickness deposition. The pressure in the chamber was below 0.2 Pa and substrate was heated at 200 °C. The distance between sputtered target and the Corning 1737 glass substrate was about 10 cm. Chemical composition of prepared samples was analyzed by X-ray photoemission spectroscopy method (XPS). The XPS measurement was performed at room temperature under ultra-high vacuum conditions, at pressures below 1.1 × 10−6 Pa by Omicron NanoScience equipment. Data analysis was performed with the CASA XPS software package using a Shirley background subtraction and least-square GaussianLorentzian – GL(30) curve fitting algorithm. The spectra obtained were calibrated to give a binding energy of 285.00 eV for C 1s. In this data set results of XPS investigations of thin films deposired under variuos Ar-O ratio are presented.

Plik z danymi badawczymi

Te.opj
1.8 MB, S3 ETag b3cba6d426fe3a71d9a8db8303820aac-1, pobrań: 45
Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:
Creative Commons: by 4.0 otwiera się w nowej karcie
CC BY
Uznanie autorstwa
Dane surowe:
Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
Oprogramowanie:
origin

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:
2021
Data zatwierdzenia:
2021-07-12
Data wytworzenia:
2019
Język danych badawczych:
angielski
Dyscypliny:
  • informatyka techniczna i telekomunikacja (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
DOI:
Identyfikator DOI 10.34808/jsg3-yy74 otwiera się w nowej karcie
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Cytuj jako

wyświetlono 96 razy