Depth profile of the composition of 8 nm Al2O3 thin film - Open Research Data - MOST Wiedzy

Twoje konto

zaloguj

Wyszukiwarka

Depth profile of the composition of 8 nm Al2O3 thin film

Opis

8 nm layer of aluminum oxide (Al2O3) was deposited by ALD method on a s.  Atomic layer deposition provides precise thickness control down to a single atomic layer. The precursors used were trimethylaluminum (Sigma-Aldrich) and purified water. The deposition of the atomic layer was carried out at 200 °C. To investigate the profile of concenration of elements film was etched by Ar ion gun 5 times. Each etching takes 30 sec. XPS measurements were carried out at room temperature under ultrahigh vacuum conditions and pressures below 1.1 x 10-6 Pa using Omicron NanoScience equipment. Data analysis was performed with the CASA XPS software package using Shirley background subtraction and Gauss-Lorentz curve fitting algorithm by the least-squares method - GL (30). The resulting spectra were calibrated to obtain a binding energy of 285.00 eV for C 1s. 

Plik z danymi badawczymi

XPS.zip
131.3 kB, S3 ETag 22c9537be497420be03322913d1642b1-1, pobrań: 7
Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
pobierz plik XPS.zip

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:
Creative Commons: by 4.0 otwiera się w nowej karcie
CC BY
Uznanie autorstwa
Dane surowe:
Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:
2021
Data zatwierdzenia:
2021-07-22
Data wytworzenia:
2019
Język danych badawczych:
angielski
Dyscypliny:
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
DOI:
Identyfikator DOI 10.34808/92k2-wd31 otwiera się w nowej karcie
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Cytuj jako

Autorzy

wyświetlono 56 razy