Wyszukiwarka
Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 3 μm graphene channel
Opis
The presented data set is part of the research on graphene field-effect transistor (GFET) modelling. The calculations were performed with the use of GFET Tool program (https://nanohub.org/resources/gfettool DOI: 10.4231/D3QF8JK5T), which enabled simulation of the drain current (Id) vs. drain voltage (Vd) characteristics for different gate voltages (Vg) of the top-gated GFET device.
In this study the GFET device with 10 μm x 3 μm graphene channel, 10 nm top-gate dielectric and 300 nm SiO2 layer was analyzed. The drift-diffusion approach was employed to calculate self-consistently the I-V behavior of the transistor at initial temperature of 293K. The mobility of the both type of carriers (electrons and holes) was 3000 cm2/(V*s) and the Dirac voltage was 0 V.
Plik z danymi badawczymi
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MBPrzykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
Informacje szczegółowe o pliku
- Licencja:
-
otwiera się w nowej karcie
CC BYUznanie autorstwa
Informacje szczegółowe
- Rok publikacji:
- 2021
- Data zatwierdzenia:
- 2021-03-22
- Data wytworzenia:
- 2020
- Język danych badawczych:
- angielski
- Dyscypliny:
-
- Automatyka, elektronika i elektrotechnika (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- nauki fizyczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)
- DOI:
- Identyfikator DOI 10.34808/m8g8-5p66 otwiera się w nowej karcie
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
Słowa kluczowe
Powiązane zasoby
- publikacja The behavioural model of graphene field-effect transistor
- dane badawcze Electrical characteristics simulation of top-gated graphene field-effect transistor (GFET) with 10 μm x 10 μm graphene channel
Cytuj jako
Autorzy
wyświetlono 131 razy