Piotr Płotka otrzymał tytuł zawodowy magistra inżyniera w 1976 r., a stopień doktora w dyscyplinie elektronika w 1985 r. – nadane przez Wydział Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. W 2008 r. otrzymał stopień doktora habilitowanego, także w dyscyplinie elektronika, nadany przez Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie.

Od 1977 r. pracował w Akademii Techniczno-Rolniczej w Bydgoszczy, a od 1981 r. w Politechnice Gdańskiej. We współpracy z przemysłem opracował konstrukcję i technologię wytwarzania rodziny krzemowych tranzystorów dużej mocy. W 1985 r. został adiunktem na Wydziale Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. Jego grupa opracowała i opatentowała rozwirowywane źródła domieszek stosowane następnie przez ponad dwadzieścia lat przez przemysł w produkcji krzemowych diod, tyrystorów i tranzystorów mocy.

Od 1990 r. pracował jako badacz, potem jako kierownik zespołu badawczego w projekcie o nazwie „Nishizawa Terahertz Project”, fundowanym przez Research Development Corporation of Japan (JRDC), w Sendai w Japonii. Pracował tam nad zastosowaniem epitaksji warstw molekularnych (MLE) do wytwarzania przyrządów z arsenku galu.

Jego grupa wytworzyła też w GaAs diody TUNNETT, należące do rodziny diod generacyjnych bazujących na czasie przelotu, generujące w trybie podstawowym ciągłym falę o częstotliwości 706 GHz. Jego grupa uczestniczyła w zastosowaniu tych generatorów w systemach dla fal milimetrowych i submilimetrowych. Opracował metody wytwarzania pozwalające na określanie krytycznych rozmiarów nanoprzyrządów na poziomie wielokrotnie mniejszym, niż wynikałoby to z rozdzielczości stosowanej litografii.

W podobnym celu opracowano procesy pyrolizy (CVD) metali stosowane w kombinacji z selektywną epitaksją. Badał również fizykę działania opracowywanych nanoprzyrządów.

Od 2008 r. ponownie zatrudniony na Wydziale Elektroniki Telekomunikacji i Informatyki PG. Obecnie zajmuje się wytwarzaniem i fizyką działania poli- i nanokrystalicznych przyrządów i czujników diamentowych dla zastosowań elektrochemicznych. Pracuje też nad nowymi nanoczujnikami i przetwornikami wytworzonymi z wykorzystaniem technologii półprzewodnikowych.

Jest autorem pięciu japońskich i dwóch polskich patentów. Opublikował ponad dwadzieścia artykułów w czasopismach z listy JCR. Według Web of Science jego indeks Hirscha wynosi 9.