Wyszukiwarka
Naturalny diament jest izolatorem, więc istotnym elementem dla uzyskania struktur półprzewodnikowych z diamentu jest domieszkowanie. Niestety domieszkowanie diamentu ze względu na jego wysoką gęstość jest utrudnione. Procesy domieszkowania można realizować w trybie in-situ podczas wzrostu lub ex-situ poprzez implantację jonów. Obie metody wprowadzają defekty do uzyskanych warstw diamentowych. Szczególnie niszcząca jest implantacja, która wymaga bardzo wysokich energii, co wyklucza możliwość stosowania takich warstw np. w mikro- i optoelektronice. Niższe zdefektowanie półprzewodnikowych warstw diamentowych powoduje domieszkowanie in-situ ale uzyskanie przewodnictwa typu n jest obecnie nieefektywne i intensywnie badane przez różne zespoły na świecie.
Informacje szczegółowe
- Program finansujący:
- MINIATURA
- Instytucja:
- Narodowe Centrum Nauki (NCN) (National Science Centre)
- Porozumienie:
- DEC-2017/01/X/ST7/02045 z dnia 2018-02-10
- Okres realizacji:
- 2018-02-10 - 2019-02-09
- Kierownik projektu:
- dr hab. inż. Michał Sobaszek
- Realizowany w:
- Katedra Metrologii i Optoelektroniki
- Wartość projektu:
- 46 200.00 PLN
- Typ zgłoszenia:
- Krajowy Program Badawczy
- Pochodzenie:
- Projekt krajowy
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 297 razy