A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations. - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.

Abstrakt

The paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics. The MOSFET template is written in the MAST language and simulated in the SABER simulator. Experimental validation of the N-Channel Power MOSFET type IRFP240 (Fairchild Semiconductor) rated at 20A/200V is performed in a DC/DC boost converter. The main features of the developed model have been compared with properties of an analytical MOSFET model and a general MOSFET model embedded to SABER simulator.

Cytowania

  • 3 2

    CrossRef

  • 3 4

    Web of Science

  • 3 5

    Scopus

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS nr 31, strony 3096 - 3105,
ISSN: 0885-8993
Język:
angielski
Rok wydania:
2016
Opis bibliograficzny:
Turzyński M., Kulesza W.: A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.// IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS. -Vol. 31, nr. 4 (2016), s.3096-3105
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/tpel.2015.2445375
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 79 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi