Wyszukiwarka
Abstrakt
The paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics. The MOSFET template is written in the MAST language and simulated in the SABER simulator. Experimental validation of the N-Channel Power MOSFET type IRFP240 (Fairchild Semiconductor) rated at 20A/200V is performed in a DC/DC boost converter. The main features of the developed model have been compared with properties of an analytical MOSFET model and a general MOSFET model embedded to SABER simulator.
Cytowania
-
4 3
CrossRef
-
0
Web of Science
-
4 9
Scopus
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
nr 31,
strony 3096 - 3105,
ISSN: 0885-8993 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2016
- Opis bibliograficzny:
- Turzyński M., Kulesza W.: A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.// IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS. -Vol. 31, nr. 4 (2016), s.3096-3105
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/tpel.2015.2445375
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 206 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Accurate Modeling of Frequency Selective Surfaces Using Fully-Connected Regression Model with Automated Architecture Determination and Parameter Selection Based on Bayesian Optimization
- N. Calik,
- M. Belen,
- P. Mahouti
- + 1 autorów