Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.

Wiesław Kordalski; Tomasz Stefański

Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.

Abstrakt

Bazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.

Autorzy (2)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska
Tomasz Stefański dr hab. inż.
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Język:: polski
Rok wydania:: 2004
Opis bibliograficzny:: Kordalski W., Stefański T.: Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.// . -., (2004), s.0-0
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska