Wyszukiwarka
Abstrakt
Bazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2004
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Stefański T.: Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.// . -., (2004), s.0-0
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 119 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 autorów
2008