Wyszukiwarka
Abstrakt
Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.
Autorzy (7)
-
Agata Zdyb
-
Jan Marian Olchowik
-
Dariusz Szymczuk
-
Janina Mucha
-
Krzysztof Zabielski
-
Marian Mucha
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Opublikowano w:
-
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY
nr 37,
wydanie 8,
strony 875 - 880,
ISSN: 0232-1300 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2002
- Opis bibliograficzny:
- Zdyb A., Olchowik J., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Mucha M., Sadowski W.: Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures// CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. -Vol. 37., iss. 8 (2002), s.875-880
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 77 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonanych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych, wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy - zadanie 3. projektu ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''
- A. Konczakowska,
- R. Barlik,
- K. Zymmer
2006
Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET
- W. Kordalski,
- B. Boratyński,
- M. Panek
- + 3 autorów
2007
Unusual fluorescence anisotropy spectra of three-component donor-mediator-acceptor systems in uniaxially stretched polymer films in the presence of energy transfer
- P. Sas-Bojarski,
- M. Sadownik,
- S. Rangełowa-Jankowska
- + 2 autorów
2008