Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures

Abstrakt

Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.

Autorzy (7)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Opublikowano w:
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY nr 37, wydanie 8, strony 875 - 880,
ISSN: 0232-1300
Język:
angielski
Rok wydania:
2002
Opis bibliograficzny:
Zdyb A., Olchowik J., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Mucha M., Sadowski W.: Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures// CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. -Vol. 37., iss. 8 (2002), s.875-880
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 16 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi