Behawioralny model tranzystora IGBT

Marek Turzyński; Piotr Chrzan

Behawioralny model tranzystora IGBT

Abstrakt

W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego.

Autorzy (2)

Marek Turzyński dr hab. inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Politechnika Gdańska
Piotr Chrzan prof. dr hab. inż.
- Instytut Inżynierii Komunikacyjnej
- Politechnika Gdańska

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:: Przegląd Elektrotechniczny strony 87 - 94,
ISSN: 0033-2097
Język:: polski
Rok wydania:: 2010
Opis bibliograficzny:: Turzyński M., Chrzan P.: Behawioralny model tranzystora IGBT// Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 2 (2010), s.87-94
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska