Behawioralny model tranzystora IGBT - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Behawioralny model tranzystora IGBT

Abstrakt

W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego.

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:
Przegląd Elektrotechniczny strony 87 - 94,
ISSN: 0033-2097
Język:
polski
Rok wydania:
2010
Opis bibliograficzny:
Turzyński M., Chrzan P.: Behawioralny model tranzystora IGBT// Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 2 (2010), s.87-94
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 19 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi