Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr
Abstrakt
Zbadano, wykorzystując spektroskopię oscylacyjną (HREELS - High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy) modyfikacje chemiczne powierzchni wodorowanego diamentu, umieszczonego na podkładzie krzemowym i wystawionego na działanie DBr a następnie podgrzanego do temp. powyżej 600 st.K. Przedstawiona procedura powoduje tworzenie się węglika krzemu SiC na powierzchni warstwy diamentowej, co jest widoczne na widmie HREEL jako dwa dodatkowe maksima: 117 i 233 meV.
Cytowania
-
5
CrossRef
-
0
Web of Science
-
4
Scopus
Autorzy (5)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Opublikowano w:
-
SURFACE SCIENCE
nr 600,
strony 847 - 850,
ISSN: 0039-6028 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2006
- Opis bibliograficzny:
- Bertin M., Domaracka A., Pliszka D., Lafosse A., Azria R.: Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr// SURFACE SCIENCE. -Vol. 600., (2006), s.847-850
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1016/j.susc.2005.12.006
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 102 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
- A. Zdyb,
- J. M. Olchowik,
- D. Szymczuk
- + 4 autorów
2002