Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne

Abstrakt

Zaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne nr T. 14, strony 675 - 682,
ISSN: 1732-1166
Język:
polski
Rok wydania:
2007
Opis bibliograficzny:
Panek M., Kordalski W., Sitek M.: Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.675-682
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 17 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi