Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne

Marek Panek; Wiesław Kordalski; Mariusz Sitek

Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne

Abstrakt

Zaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.

Autorzy (3)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne nr T. 14, strony 675 - 682,
ISSN: 1732-1166
Język:: polski
Rok wydania:: 2007
Opis bibliograficzny:: Panek M., Kordalski W., Sitek M.: Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.675-682
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska