GaAs-Si interfacial energy determination - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

GaAs-Si interfacial energy determination

Abstrakt

Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.

Cytuj jako

Autorzy (7)

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Molecular Physics Reports nr 36, strony 145 - 149,
ISSN: 1505-1250
Język:
angielski
Rok wydania:
2002
Opis bibliograficzny:
Zdyb A., Szymczuk D., Olchowik J., Sadowski W., Mucha J., Zabielski K., Mucha M.: GaAs-Si interfacial energy determination// Molecular Physics Reports. -Vol. 36., (2002), s.145-149
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 19 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi