GaAs-Si interfacial energy determination

Agata Zdyb; Dariusz Szymczuk; Jan Marian Olchowik; Wojciech Sadowski; Janina Mucha; Krzysztof Zabielski; Marian Mucha

GaAs-Si interfacial energy determination

Abstrakt

Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.

Autorzy (7)

Agata Zdyb
Dariusz Szymczuk
Jan Marian Olchowik
Wojciech Sadowski prof. dr hab. inż.
Janina Mucha
Krzysztof Zabielski
Marian Mucha

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:: Molecular Physics Reports nr 36, strony 145 - 149,
ISSN: 1505-1250
Język:: angielski
Rok wydania:: 2002
Opis bibliograficzny:: Zdyb A., Szymczuk D., Olchowik J., Sadowski W., Mucha J., Zabielski K., Mucha M.: GaAs-Si interfacial energy determination// Molecular Physics Reports. -Vol. 36., (2002), s.145-149
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska