Abstrakt
The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test(DPT) conditions.
Cytowania
-
1
CrossRef
-
0
Web of Science
-
1
Scopus
Autorzy (2)
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 243 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
- otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
Przegląd Elektrotechniczny
wydanie 2,
strony 125 - 128,
ISSN: 0033-2097 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2019
- Opis bibliograficzny:
- Derkacz P., Musznicki P.: Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors// Przegląd Elektrotechniczny -,iss. 2 (2019), s.125-128
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2019.02.28
- Bibliografia: test
-
- H. A. Mantooth, M. D. Glover, and P. Shepherd, "Wide bandgap technologies and their implications on miniaturizing power electronic systems," IEEE Journal of emerging and se- lected topics in Power Electronics, vol. 2, no. 3, pp. 374-385, 2014. otwiera się w nowej karcie
- M. Landel, C. Gautier, D. Labrousse, S. Levebvre, F. Zaki, and Z. Khatir, "Dispersion of electrical characteristics and short-circuit robustness of 600 v emode gan transistors," in PCIM Europe 2017; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of. VDE, 2017, pp. 1-9. otwiera się w nowej karcie
- H. Li, X. Li, X. Wang, J. Wang, Y. Alsmadi, L. Liu, and S. Bala, "E-mode gan hemt short circuit robustness and degradation," in Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2017 otwiera się w nowej karcie
- IEEE. IEEE, 2017, pp. 1995-2002. otwiera się w nowej karcie
- D. Pappis, K. Goebel, and P. Zacharias, "Short circuit capa- bility of 650 v normally off gan e-hemt and mosfet-hemt cas- code," in PCIM Europe 2017; International Exhibition and Con- ference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of. VDE, 2017, pp. 1-8.
- D. Bortis, O. Knecht, D. Neumayr, and J. W. Kolar, "Com- prehensive evaluation of GaN git in low-and high-frequency bridge leg applications," in Proc. IEEE 8th Int. Power Electron- ics and Motion Control Conf. (IPEMC-ECCE Asia), May 2016, pp. 21-30. otwiera się w nowej karcie
- B. Wittig, M. Boettcher, and F. W. Fuchs, "Analysis and de- sign aspects of a desaturation detection circuit for low voltage power mosfets," in Power Electronics and Motion Control Con- ference (EPE/PEMC), 2010 14th International. IEEE, 2010, pp. T1-7. otwiera się w nowej karcie
- A. E. Awwad and S. Dieckerhoff, "Short-circuit evaluation and overcurrent protection for sic power mosfets," in Power Elec- tronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015 17th European Conference on. IEEE, 2015, pp. 1-9. otwiera się w nowej karcie
- Z. Wang, X. Shi, Y. Xue, L. M. Tolbert, F. Wang, and B. J. Blalock, "Design and performance evaluation of overcurrent protection schemes for silicon carbide (sic) power mosfets," IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 61, no. 10, pp. 5570-5581, 2014. otwiera się w nowej karcie
- B. Huang, Y. Li, T. Q. Zheng, and Y. Zhang, "Design of over- current protection circuit for gan hemt," in Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2014 IEEE. IEEE, 2014, pp. 2844-2848. otwiera się w nowej karcie
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 189 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Feasibility Study GaN Transistors Application in the Novel Split-Coils Inductive Power Transfer System with T-Type Inverter
- V. Shevchenko,
- B. Pakhaliuk,
- O. Husev
- + 3 autorów
2020
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
- P. Czyż,
- A. Reinke,
- A. Cichowski
- + 1 autorów
2016