Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

Abstrakt

The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protectionwith the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in thehalf-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test(DPT) conditions.

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Przegląd Elektrotechniczny wydanie 2, strony 125 - 128,
ISSN: 0033-2097
Rok wydania:
2019
Opis bibliograficzny:
Derkacz P., Musznicki P.: Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors// Przegląd Elektrotechniczny. -., iss. 2 (2019), s.125-128
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2019.02.28
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 17 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi