Wyszukiwarka
Abstrakt
We propose a novel magnetic field sensitive semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Magnetic-Field Sensitive Field-Effect Transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE) and is very similar to that of Popovic and Baltes's SDMAGFET. The predicted absolute sensitivity of the new sensor can reach as high value as 1000 V/T. Furthermore, due to its original structure, the spatial resolution of the new MAGFET is extremely high, which makes this device especially useful in reading magnetically encoded data or magnetic pattern recognition.
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Bulletin of the Polish Academy of Sciences-Technical Sciences
nr 55,
strony 325 - 329,
ISSN: 0239-7528 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2007
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Polowczyk M., Panek M.: Horizontally-split-drain MAGFET - a highly sensitive magnetic field sensor// Bulletin of the Polish Academy of Sciences-Technical Sciences. -Vol. 55., iss. nr 3 (2007), s.325-329
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 125 razy