Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.

Marek Wroński

Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.

Abstrakt

Przedstawiono nowe podejście do poprawy charakterystyk strojenia rezystorów warstwowych typu ''kapelusza'' i typu ''U'' z cięciem prostym pośrodku struktury polegająca na wprowadzeniu zaworki przewodzącej w górnej części rezystora. Umożliwia to eliminację lokalnych przegrzewów oraz zwiększenia dokładności strojenia i wzrostu stabilności.

Autor (1)

Marek Wroński dr inż.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Aktywność konferencyjna
Typ:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Tytuł wydania:: Proceedings. 27th International Conference and Exhibition IMAPS-Poland 2003. strony 284 - 287
Język:: angielski
Rok wydania:: 2003
Opis bibliograficzny:: Wroński M.: Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.// Proceedings. 27th International Conference and Exhibition IMAPS-Poland 2003. / Gliwice: Siles. Univ. Technol., 2003, s.284-287
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska