Wyszukiwarka
Abstrakt
Przedstawiono nowe podejście do poprawy charakterystyk strojenia rezystorów warstwowych typu ''kapelusza'' i typu ''U'' z cięciem prostym pośrodku struktury polegająca na wprowadzeniu zaworki przewodzącej w górnej części rezystora. Umożliwia to eliminację lokalnych przegrzewów oraz zwiększenia dokładności strojenia i wzrostu stabilności.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Tytuł wydania:
- Proceedings. 27th International Conference and Exhibition IMAPS-Poland 2003. strony 284 - 287
- Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2003
- Opis bibliograficzny:
- Wroński M.: Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.// Proceedings. 27th International Conference and Exhibition IMAPS-Poland 2003. / Gliwice: Siles. Univ. Technol., 2003, s.284-287
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 78 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Chapter 8. New composite materials for electrochemical capacitors
- M. Wilamowska-Zawłocka,
- A. Lisowska-Oleksiak,
- K. Szybowska
- + 1 autorów
2008