Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes

Abstrakt

One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.

Cytuj jako

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej strony 103 - 106,
ISSN: 1425-5766
Język:
angielski
Rok wydania:
2014
Opis bibliograficzny:
Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.: Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes// Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. -., nr. 40 (2014), s.103-106
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 19 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi