Wyszukiwarka
Abstrakt
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 30 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
strony 103 - 106,
ISSN: 1425-5766 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2014
- Opis bibliograficzny:
- Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.: Investigation of RTS Noise in Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes// Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. -., nr. 40 (2014), s.103-106
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 103 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Low-frequency noise in Au-decorated graphene–Si Schottky barrier diode at selected ambient gases
- J. Smulko,
- K. Drozdowska,
- A. Rehman
- + 8 autorów
2023