Wyszukiwarka
Abstrakt
A top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could be employed to measure the external factor intensity.
Cytowania
-
3
CrossRef
-
0
Web of Science
-
1 0
Scopus
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 47 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2015.10.34
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Przegląd Elektrotechniczny
strony 170 - 172,
ISSN: 0033-2097 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2015
- Opis bibliograficzny:
- Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.: Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for lectronic sensing applications// Przegląd Elektrotechniczny. -., nr. 10 (2015), s.170-172
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/48.2015.10.34
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 137 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Graphene field-effect transistor application for flow sensing
- M. Łuszczek,
- D. Świsulski,
- R. Hanus
- + 2 autorów
2017
Pulsed UV-irradiated Graphene Sensors for Ethanol Detection at Room Temperature
- K. Drozdowska,
- A. Rehman,
- P. Sai
- + 7 autorów
2021