Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

Wiesław Kordalski; Michał Polowczyk; Janusz Czerwiński; Jerzy Dzierżko; Lech Dobrzański

Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

Abstrakt

W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.

Autorzy (5)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska
Michał Polowczyk prof. dr hab. inż.
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska
Janusz Czerwiński
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska
Jerzy Dzierżko
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska
Lech Dobrzański
- Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
- Politechnika Gdańska

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Język:: polski
Rok wydania:: 2004
Opis bibliograficzny:: Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J., Dobrzański L.: Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.// . -., (2004), s.0-0
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska