Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

Abstrakt

Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V

Pełna treść

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania strony 13 - 15,
ISSN: 0033-2089
Język:
polski
Rok wydania:
2009
Opis bibliograficzny:
Szewczyk A., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B.: Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC// Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania. -., (2009), s.13-15
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 14 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi