Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

Arkadiusz Szewczyk; Alicja Konczakowska; Barbara Stawarz-Graczyk

Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

Abstrakt

Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V

Autorzy (3)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania strony 13 - 15,
ISSN: 0033-2089
Język:: polski
Rok wydania:: 2009
Opis bibliograficzny:: Szewczyk A., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B.: Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC// Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania. -., (2009), s.13-15
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska