Wyszukiwarka
Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC
Abstrakt
Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną dla tych samych przebiegów funkcją koherencji (dziedzina częstotliwości).
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
nr T. 19,
strony 459 - 464,
ISSN: 1732-1166 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2010
- Opis bibliograficzny:
- Cichosz J., Stawarz-Graczyk B., Szewczyk A.: Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 19., nr. nr 8 (2010), s.459-464
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 57 razy