Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.

Wiesław Kordalski; Arkadiusz Mika

Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.

Abstrakt

Zaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości i długości kanału tranzystora.

Autorzy (2)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne nr T. 16, strony 507 - 512,
ISSN: 1732-1166
Język:: polski
Rok wydania:: 2008
Opis bibliograficzny:: Kordalski W., Mika A.: Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.507-512
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska