Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego

Abstrakt

Zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne nr T. 9, strony 123 - 132,
ISSN: 1732-1166
Język:
polski
Rok wydania:
2006
Opis bibliograficzny:
Kordalski W., Włodarczak K., Szymański K.: Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego // Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 9., (2006), s.123-132
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 9 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi