Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm

Abstrakt

W artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Aktywność konferencyjna
Typ:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Język:
polski
Rok wydania:
2005
Opis bibliograficzny:
Kordalski W., Wiśniewski J., Włodarczak K.: Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm// / : , 2005,
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 11 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi