Wyszukiwarka
Abstrakt
W artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2005
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Wiśniewski J., Włodarczak K.: Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm// / : , 2005,
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 92 razy